onsemi M2 EliteSiC-MOSFETs
onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).
Merkmale
- Spannungen: 650 V, 750 V und 1200 V
- D2PAK7-, H-PSOF8L-, TDFN4 8x8-, TO-247-3LD-, TO-247-4LD-Gehäuse
- Maximale Gate-Source-Spannung: +22 V/-8 V
- Niedriger RDS (on) und hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT)
- Optimiert für den niedrigsten RDS(on) für Applikationen mit niedriger Schaltgeschwindigkeit
- Kann als Ersatz für SuperFET™ verwendet werden
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