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NTHL060N065SC1

Name: onsemi NTHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL060N065SC1
Price: 8.74 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTHL060N065SC1

Herst.- Nr.:

NTHL060N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Datenblatt:

NTHL060N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	47 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	176 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	NTHL060N065SC1
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

NTHL060N065SC1 Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Korea, Republik von

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M2 EliteSiC-MOSFETs

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650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi 650-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs verwenden eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium (S) eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Diese 650-V-MOSFETs haben einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine kompakte Chipgröße, um eine geringe Kapazität und Gate-Ladung zu gewährleisten. Zu den Vorteilen gehören hoher Wirkungsgrad, schnelle Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und geringere Systemgröße.

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Der onsemi NTHL060N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der MOSFET verfügt über einen niedrigen On-Widerstand und seine kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören beispielsweise der höchste Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine verringerte EMI und eine reduzierte Systemgröße.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

Wärmepumpen

Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung und nutzt die emissionsarme Elektrizität für zuverlässige Wärme. Während seine Hauptfunktion die Heizung ist, bieten innovative Rücklaufzyklusmodelle auch Kühlmöglichkeiten. Darüber hinaus bieten Wärmepumpen durch effiziente Rückgewinnung und Anhebung ihrer Temperatur ein enormes Energieeinsparpotenzial. Da Unternehmen sich auf eine kohlenstoffarme Zukunft konzentrieren, besteht eine wachsende Nachfrage nach effizienteren Leistungshalbleitern. Ein ausgewogenes Verhältnis von Kosten, Footprint und Wirkungsgrad ist dabei von entscheidender Bedeutung. Onsemi Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine bemerkenswerte Lösung im Wärmepumpenmarkt dar und bieten ein kompaktes Design, eine hohe Leistungsdichte und erweiterte Steuerfunktionen.