onsemi NTHL060N065SC1 Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
Der onsemi NTHL060N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET bietet eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der MOSFET verfügt über einen niedrigen On-Widerstand und seine kompakte Chip-Größe sorgt für eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Zu den Vorteilen des Systems gehören beispielsweise der höchste Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine verringerte EMI und eine reduzierte Systemgröße.
Merkmale
- Typische RDS(on) = 44 m bei VGS = 18 V
- Typische RDS(on) = 60 m bei VGS = 15 V
- Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC)
- Niedrige Ausgangskapazität (Coss = 133 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- TJ = 175 °C
- Dieses Bauteil ist halogenfrei und RoHS-konform mit der Ausnahme von 7a, bleifrei − 2LI (auf Second Level Interconnection)
Applikationen
- SMPS (Stromversorgungen im Schaltmodus)
- Solarwechselrichter
- UPS (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
- Energiespeicher
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Veröffentlichungsdatum: 2022-05-09
| Aktualisiert: 2023-07-27