M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

Ergebnisse: 46
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Datenblatt
2 252Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Datenblatt
1 292Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L
Datenblatt
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
1 263Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Datenblatt
569Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
776Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Datenblatt
430Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Datenblatt
1 824Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
Datenblatt
3 923Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM
Datenblatt
265Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
Datenblatt
1 861Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM 900V
Datenblatt
1 230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Datenblatt
1 595Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Datenblatt
314Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V
Datenblatt
1 276Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
Datenblatt
828Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
Datenblatt
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L
Datenblatt
428Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MOHM 900V
Datenblatt
348Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM
Datenblatt
1 003Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 12 mohm, 650V, M2, TO247-3L
Datenblatt
400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
448Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
Datenblatt
445Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
Datenblatt
334Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC