NTBG025N065SC1 19 mohm Siliziumkarbid-MOSFET

Der onsemi NTBG025N065SC1 19-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET ist in einem D2PAK-7L-Gehäuse untergebracht und auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die NTBG025N065SC1 Bauteile von onsemi bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und eine 2x höhere Elektroden-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-MOSFETs von onsemi umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
1 263Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Datenblatt
680Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC