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NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 22.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG025N065SC1

Herst.- Nr.:

NVBG025N065SC1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

Datenblatt:

NVBG025N065SC1 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 22,40	€ 22,40
	€ 17,61	€ 176,10
	€ 17,59	€ 1 759,00
	€ 17,34	€ 8 670,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	€ 16,76	€ 13 408,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	106 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	164 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	395 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	19 ns
Serie:	NVBG025N065SC1
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	17 ns

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Datenblatt

NVBG025N065SC1 Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBG025N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs bieten im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der NVBG025N065SC1 von onsemi zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe aus, wodurch eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet wird. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine kleinere Systemgröße.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen R_DS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).