onsemi n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen RDS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

Merkmale

  • Doppelseitig gekühlte Gehäuse von 5 mm x 6 mm
  • Montageart: SMD/SMT
  • 20 V VGS (Gate-Source)
  • 166 W PD (Verlustleistung)
  • AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
  • RoHS-konform
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C

Applikationen

  • Automotive
  • Industrial power management
  • Motor control
Veröffentlichungsdatum: 2019-10-25 | Aktualisiert: 2025-11-11