Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NVMFS5C645NT1G

Name: onsemi NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C645NT1G
Price: 2.28 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS5C645NT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS5C645NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 92A, 4.6mohm

Datenblatt:

NVMFS5C645NT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NVMFS5C645NT1G

Auf Lager: 5 293

Lagerbestand:: 5 293 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 45 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 2,28	€ 2,28
	€ 1,93	€ 965,00
	€ 1,10	€ 1 100,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,73	€ 1 095,00
	€ 0,671	€ 2 013,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	92 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	20.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	79 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	36.3 ns
Serie:	NVMFS5C645N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.2 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NVMFS5C645NT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS5C645N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMFS5C645N von Onsemi zeichnen sich durch einen Dauersenkenstrom von 92 A, R_DS(ON) von 4,6 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 60 V aus. Das Bauteil NVMFS5C645N ist in einem flachen Leitergehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das speziell für kompakte und effiziente Designs entwickelt wurde. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.