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NVMFS5C645NT1G

Name: onsemi NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C645NT1G
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS5C645NT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS5C645NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

Datenblatt:

NVMFS5C645NT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 2,28	€ 22,80
	€ 1,57	€ 157,00
	€ 1,28	€ 640,00
	€ 0,811	€ 811,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,811	€ 1.216,50

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	92 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	20.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	79 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	36.3 ns
Serie:	NVMFS5C645N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.2 ns

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Datenblatt

NVMFS5C645NT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMFS5C645N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMFS5C645N von Onsemi zeichnen sich durch einen Dauersenkenstrom von 92 A, R_DS(ON) von 4,6 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 60 V aus. Das Bauteil NVMFS5C645N ist in einem flachen Leitergehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das speziell für kompakte und effiziente Designs entwickelt wurde. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.