Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5830NLWFT1G-UM
Price: 2.55 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FS5830NLWFT1G-UM

Herst.- Nr.:

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS5830NLWFT1G-UM Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 1 500

erwartet ab 10.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 40

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 2,55	€ 2,55
	€ 1,65	€ 16,50
	€ 1,22	€ 122,00
	€ 1,02	€ 510,00
	€ 0,877	€ 877,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,877	€ 1 315,50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	185 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	113 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	158 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	38 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	NVMFS5830NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NVMFS5830NLWFT1G-UM Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen R_DS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-n-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten SO-8FL- und WDFN8-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
Mehr erfahren

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen R_DS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5830NL von onsemi ist ein hocheffizienter Leistungs-MOSFET, der für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen entwickelt wurde. Durch den Einsatz fortschrittlicher Trench-Technologie bietet das Bauteil NVMFS5830NL von onsemi einen außergewöhnlich niedrigen RDS_(on)(2,3 mΩ bei VGS = 10 V), wodurch sich der MOSFET ideal zur Minimierung von Leitungsverlusten in Hochstromsystemen eignet. Das Flat-Lead-SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm x 1 mm verbessert das thermische Betriebsverhalten und die Platzeffizienz auf der Platine, während die niedrige Gate-Ladung und die schnellen Schaltcharakteristika zu einer Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads des Systems beitragen. Eine Option mit benetzbaren Flanken zur verbesserten optischen Inspektion ist erhältlich. Mit der Kombination aus hoher Strombelastbarkeit, geringen Schaltverlusten und einem kompakten Footprint eignet sich der NVMFS5830NL hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungsapplikationen und High-/Low-Side-Lastschaltern.