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NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 1.9 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FS5832NLWFT1G-UM

Herst.- Nr.:

NVMFS5832NLWFT1G-UM

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFS5832NLWFT1G-UM Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	51 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	127 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	21 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	NVMFS5832NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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Datenblatt

NVMFS5832NLWFT1G-UM Datenblatt

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5832NL von onsemi ist ein leistungsstarker MOSFET, der für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern. Das auf der fortschrittlichen Trench-Technologie basierende Bauteil NVMFS5832NL von onsemi bietet einen außergewöhnlich niedrigen RDS_(on)von 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, wodurch geringere Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung geboten werden. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V und einem Dauer-Drain-Strom von bis zu 120 A eignet sich dieser MOSFET ideal für anspruchsvolle Umgebungen wie DC-DC-Wandler, Synchrongleichrichtung und Motorsteuerung. Das kompakte 5 mm x 6 mm große Power-DFN-Gehäuse gewährleistet eine hohe Leistungsdichte und eine hervorragende Wärmeableitung, während die geringe Gate-Ladung des Bauteils ein schnelles Schalten für einen höheren Wirkungsgrad in Hochfrequenz-Designs ermöglicht.

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen R_DS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen R_DS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-n-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten SO-8FL- und WDFN8-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
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