ROHM Semiconductor QH8J Pch Leistungs-MOSFETs
Die QH8J Pch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in einem A -Hochleistungs-small-mold-Gehäuse (TSMT8) untergebracht. Der ROHM bietet ein breites Spannungsangebot von Kleinsignalprodukten bis zu 800 V Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage(TSMT8)
- Bleifreie Beschichtung, RoHS-kompatibel
- halogenfrei
Applikationen
- Schaltung
Produktlinie
Marktanwendungen
Verbesserter Einschaltwiderstand
Verwandte Produkte
ROHM Semiconductor Automobilstandard-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Niedriger On-Widerstand, leitet die Leistung bis zu 142 W ab und ist in kleinen, leistungsstarken Gehäusen erhältlich.
ROHM Semiconductor RQ7 Pch Leistungs-MOSFETs
Verfügen über einen niedrigen on-Widerstand und sind in einem kleinen oberflächenmontierbaren TSMT8-Gehäuse untergebracht.
ROHM Semiconductor UT6J Pch Leistungs-MOSFETs
Sie zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und sind in einem leistungsstarken kleinen Gehäuse untergebracht.
ROHM Semiconductor RF4 Pch Leistungs-MOSFETs
Sie zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus und sind in einem kleinen Hochleistungsgehäuse (HUML2020L8) untergebracht.
ROHM Semiconductor RS3 Pch Leistungs-MOSFETs
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
ROHM Semiconductor RQ6 Pch Leistungs-MOSFETs
Sie zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und sind in einem kleinen Gehäuse mit hoher Leistung untergebracht.
ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs
Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand |
|---|---|---|---|---|---|
| QH8JE5TCR |  |
MOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET | 100 V | 2 A | 270 mOhms |
| QH8JB5TCR | |
MOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET | 40 V | 5 A | 41 mOhms |
| QH8JC5TCR | |
MOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET | 60 V | 3.5 A | 91 mOhms |