RQ6 Pch Leistungs-MOSFETs

Die RQ6 Pch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in einem kleinen Hochleistungs-Formgehäuse (TSMT6) untergebracht. ROHM bietet eine breite Spannungspalette von Kleinsignalprodukten bis hin zu 800-V-Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Datenblatt
6 004Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-95-6 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Datenblatt
321Auf Lager
18 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-95-6 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 78 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel