RF4 Pch Leistungs-MOSFETs

Die RF4 Pch Power-MOSFETs von ROHM Semiconductor zeichnen sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und sind in einem kleinen Hochleistungs-Gehäuse  untergebracht (HUML2020L8). ROHM bietet eine breite Spannungspalette von Kleinsignalprodukten bis hin zu 800-V-Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -6.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Datenblatt
6 000erwartet ab 16.04.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-8S P-Channel 1 Channel 40 V 6 A 40 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -4.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Datenblatt
5 500Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-8S P-Channel 1 Channel 60 V 4 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel