onsemi PowerTrench Technologie
Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.
Merkmale
- Die Reduzierung der Schaltverluste bei höheren Frequenzen minimiert den Energieverlust in Form von Wärme beim Schalter
- Bessere Wärmeabfuhr reduziert die Wärmeentwicklung bei vorgegebenen Leistungsstufen
- Verbesserte Leitungsverluste durch niedrigeren RDS(on) reduzieren den Widerstand im Einschaltzustand und den Leistungsverlust
- Kleinere Gehäuse mit höherer Leistungsdichte unterstützen den Trend zu kompakteren elektronischen Designs
- AEC-qualifizierte 40-V- bis 80-V-T10-MOSFETs erfüllen strenge Automobilstandards
- 30 % zu 40 % Rsp-Reduktion im Vergleich zur vorherigen Generation erhöht die Leistungsdichte durch Reduzierung des betreffenden Widerstands
- 2 x Reduzierung bei Qg, Qsw und Qoss verringert die Schaltverluste und verbessert den Wirkungsgrad
- Weichere Freilaufdiode und niedrigeres Qrr verringert Überschwingen, Nachschwingen und EMI/Rauschen
- 10 % höhere UIS-Fähigkeit ermöglicht höheren Strom unter bestimmten Bedingungen
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Applikationsbeispiele
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Infografik
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