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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.47 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

Herst.- Nr.:

NTMFWS1D5N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Datenblatt:

NTMFWS1D5N08XT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO8FL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	253 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.43 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	176 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	NTMFWS1D5N08X
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

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Datenblatt

NTMFWS1D5N08XT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Die Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen von onsemi steigern den Wirkungsgrad, während gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht, der Platzbedarf des Boards reduziert, die Zuverlässigkeit verbessert und die Markteinführung verkürzt wird. Da die weltweite Nachfrage nach Energie bis 2030 um 35 % bis 40 % zunehmen wird, werden die wichtigsten Industrieprodukte von onsemi mit einer Kälteeffizienz betrieben, um den täglichen Energieverbrauch zu senken.

NTMFWS1D5N08X Einkanal N-Typ MOSFET

Der Onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET integriert eine Diode mit geringem Q_RR und schneller Freilauf-Bodydiode, wodurch Schaltverluste reduziert werden. Das Gerät NTMFWS1D5N08X bietet einen niedrigen R_DS(on), um Leitungsverluste zu minimieren und einen effizienten Betrieb zu gewährleisten. Darüber hinaus tragen der niedrige Q_G und die geringe Kapazität dazu bei, die Treiberverluste zu minimieren. Der Onsemi NTMFWS1D5N08X N-Einkanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.