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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Datenblatt
4 183Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Datenblatt
113Auf Lager
16 500erwartet ab 05.01.2028
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Datenblatt
125Auf Lager
4 500erwartet ab 09.04.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Datenblatt
824Auf Lager
19 500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Datenblatt
17Auf Lager
3 000erwartet ab 06.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Datenblatt
123Auf Lager
6 000erwartet ab 23.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Datenblatt
26Auf Lager
1 500erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Datenblatt
5 907Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 340
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape