Vishay PowerPAK® 1212-MOSFETs
Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.
Merkmale
- Ideal für Schaltapplikationen
- Widerstand von ca. 1mΩ, kann bis zu 85 A verarbeiten
- Extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design
- Gehäusetechnologie zur Minderung des Risikos von Leistungsschablonen
- Ideal für platzbeschränkte Applikationen
Applikationen
- Schaltapplikationen
- Im Platzbedarf eingeschränkte Applikationen
Videos
Leistung
Empfohlene Produkte
Vishay / Siliconix SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S)
Nutzt die TrenchFET® -Gen-IV-Leistungs-MOSFET-Technologie in einem PowerPAK® -1212-8-Einzelgehäuse.
Vishay Semiconductors TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
Offers low on-resistance and on-resistance times gate charge.
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFETs
Branchenführend niedriger ON-Widerstand bis zu 1,35 mΩ bei 4,5 V.
Vishay / Siliconix TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFETs mit VDS
Erhöht den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung mit einer sehr niedrigen RDS x Qg -Gütezahl (FOM).
Vishay / Siliconix TrenchFET®-MOSFETs
Branchenweit bester Einschaltwiderstand in einer großen Auswahl von Gehäusekonfigurationen.
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, geringe Spannungsabfälle, einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielaufzeit.
Vishay / Siliconix SQ Automotive-Leistungs-MOSFETs
AEC-Q101-qualifizierte TrenchFET® Leistungs-MOSFETs mit verschiedenen Gehäusen für Designflexibilität.
Vishay / Siliconix SQS414CENW 60-V-Automotive-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von 175 °C
Bietet TrenchFET® -Leistungs-MOSFET-Technologie in einem PowerPAK® -1212-8-W-Einzelgehäuse.
Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30 V n-Kanal-MOSFET
Der TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET nutzt die Source-Flip-Technologie, welche die thermische Leistung verbessert.