Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30 V n-Kanal-MOSFET
Der SiSD5300DN 30 V n-Kanal-MOSFET von Vishay / Siliconix ist ein TrenchFET® -Gen-V-Leistungs-MOSFET, der die Source-Flip-Technologie verwendet, welche die thermische Leistung verbessert. Der SiSD5300DN wird in einem Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und verfügt über einen sehr niedrigen Drain-Source-Widerstand und eine Gate-Ladungs-Gütezahl (FOM). Zu den Applikationen gehören DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Batteriemanagement, O-Ringe und Lastschalter.
Merkmale
- TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
- Sehr niedrige RDS x Qg -Gütezahl (FOM)
- Quellen-Flip-Technologie verbessert die thermische Leistung
- 100 % Rg - und UIS-getestet
- Einzelkonfiguration
- PowerPAK® 1212-F-Gehäuseausführung
- Bleifrei, RoHS-konform und Halogen-frei
Applikationen
- DC/DC-Wandler
- Synchrongleichrichtung
- Batteriemanagement
- O-Ring und Lastschalter
Technische Daten
- 30 V maximale Drain-Source-Spannung
- Maximale Gate-Source-Spannung: +16 V/-12 V
- 500 A maximaler gepulster Drainstrom
- 198 AA Dauersenkenstrom
- Drain-Source-Einschaltwiderstand: 87 µΩ
- 57 WW Verlustleistung
- 2 V Gate-Source-Schwellenspannung
- 27 nC Gate-Ladung
- 90 ns Anstiegszeit
- 15 ns Abfallzeit
- 38 A maximaler Avalanche-Strom mit Einzelpuls
- 72 mJ maximale Avalanche-Energie mit Einzelpuls
- -55 °C bis +150 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich
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Veröffentlichungsdatum: 2024-02-23
| Aktualisiert: 2024-03-07