Vishay / Siliconix SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S)

Vishay / Siliconix SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S) nutzen die TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET-Technologie. Die SIS176LDN MOSFETs verfügen über eine sehr niedrige RDS Qg -Gütezahl (FOM) und sind auf den niedrigsten RDS Qoss -FOM abgestimmt. Die 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von Vishay / Siliconix eignen sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und Motorantriebsschalter-Applikationen.

Merkmale

  • TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET
  • Sehr niedrige RDS – Qg -Gütezahl (FOM)
  • Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss -FOM
  • 100 % Rg - und UIS-getestet

Applikationen

  • Synchrongleichrichtung
  • Primärseitiger Schalter
  • DC/DC-Wandler
  • Motorantriebsschalter
  • Lastschalter

Schaltplan

Applikations-Schaltungsdiagramm - Vishay / Siliconix SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S)
Veröffentlichungsdatum: 2021-03-11 | Aktualisiert: 2023-12-26