Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs
Die TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, geringe Spannungsabfälle, einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielaufzeit. Diese Leistungs-MOSFETs sind in zahlreichen Gehäusegrößen erhältlich. Die p-Kanal-MOSFETs bieten On-Widerstandswerte für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Adapterschalter, Batterieschalter, DC-Motoren und Ladeschalter.
Merkmale
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Thermisch verbessertes PowerPAK®-SC-70-Gehäuse
- PowerPAK-0806-Gehäuse für den Betrieb von Wearables
- 100 % Rg-geprüft
- Gehäuse:
- Micro Foot
- PowerPAK
- TSOP-6
Applikationen
- Lastschalter
- Adapterschalter
- DC-Motoren
- Leistungsmanagement in batteriebetriebenen, mobilen und tragbaren Geräten
- Batterieschalter
Infografik
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