Si8481DB 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III
Der Vishay/Siliconix Si8481DB 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige maximale Höhe von 0,6 mm. Der Si8481DB MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration im MicroFoot®-Gehäuse erhältlich. Zu den Applikationen gehören Lastschalter mit niedrigem Spannungsabfall, Leistungsmanagement in batteriebetriebenen und mobilen Geräten sowie in Wearables.
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