SI3493DDV-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

ECAD Model:
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Preis (EUR)

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Erw. Preis
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€ 0,28 € 2,80
€ 0,177 € 17,70
€ 0,134 € 67,00
€ 0,12 € 120,00
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€ 0,105 € 315,00
€ 0,095 € 570,00
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
8 A
20 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
52.2 nC
- 55 C
+ 150 C
3.6 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 30 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 20 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Gewicht pro Stück: 20 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,05 Ω (max.) bei -1,8 VGS. Der Si3493DDV MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in einer TSOP-6-Gehäusegröße verfügbar. Der Si3493DDV MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Batterieschalter und Batteriemanagement in mobilen Geräten.

TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, geringe Spannungsabfälle, einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielaufzeit. Diese Leistungs-MOSFETs sind in zahlreichen Gehäusegrößen erhältlich. Die p-Kanal-MOSFETs bieten On-Widerstandswerte für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Adapterschalter, Batterieschalter, DC-Motoren und Ladeschalter.