STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Leistungs-MOSFETs

Die TH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™ Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind AEC-Q101-qualifizierte n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie, die erstklassigen Durchlasswiderstand mit niedrigen internen Kapazitäten und Gate-Ladung kombinieren und sowohl die Leitungs- als auch die Schalteffizienz verbessern. Diese Geräte sind in TO-220 oder 2-Pin oder 6-Pin H2PAK Industrie-Standard-Gehäusen erhältlich und helfen Entwicklern, die Platinengröße zu verringern und die Leistungsdichte zu maximieren. Die STH315N10F7 MOSFETs verfügen auch über eine extrem hohe Robustheit, um potenziell schädlichen Bedingungen standzuhalten. Die STripFET VII DeepGATE MOSFETs verfügen über eine Nennspannung von 100V und bieten einen angemessenen Sicherheitsspielraum, um typischen Überspannungen standzuhalten. Die STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFETs sind auch gut für hoch robuste Leistung in Automobil- und Schaltanwendungen geeignet.

Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK industry-standard packages, the STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs help designers reduce board size and maximize power density.

Merkmale

  • AEC-Q101 qualified
  • Ultra-low RDS(on) 
  • Excellent FoM (figure of merit)
  • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
  • High avalanche ruggedness
  • Available in TO-220 or 2-lead or 6-lead H2PAK packages

Applikationen

  • Switching applications

Technische Daten

  • 2.3mΩ maximum drain-source on-resistance (RDS(on))
  • 100V drain-source voltage (VDS)
  • ±20V gate-source voltage (VGS)
  • 180A continuous drain current (ID)
  • 720A pulsed drain current (IDM)
  • 315W total dissipation at TC = +25°C (PTOT)
  • 2.1W/°C derating factor
  • 1J single pulse avalanche energy (EAS)
  • -55°C to +175°C operating junction and storage temperature range (Tj, Tstg)

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Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Montageart
STH315N10F7-6 STH315N10F7-6 Datenblatt TO-263-7 SMD/SMT
STH315N10F7-2 STH315N10F7-2 Datenblatt H2PAK-2 SMD/SMT
STP315N10F7 STP315N10F7 Datenblatt TO-220-3 Through Hole
Veröffentlichungsdatum: 2014-07-10 | Aktualisiert: 2022-03-11