Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die MOSFETs von STMicroelectronics (SiC) verfügen über einen sehr niedrigen RDS(on)-Bereich für eine Nennspannung von 1200 V kombiniert mit einem ausgezeichneten Schaltungsverhalten. Dadurch können effizientere und kompaktere System entwickelt werden. Sie verfügen über ein verbessertes Schaltungsverhalten und einer Betriebsfrequenz mit der niedrigsten Eoff im Vergleich zu Standard-Siliziumtechnologien. Dank der Eigenkörperdiode kann der Formfaktor verringert werden. Durch die maximale Sperrschichttemperatur bei 200 ºC wird ein höherer Systemwirkungsgrad und Zuverlässigkeit erreicht.

Arten von Transistoren

Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 43
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt-Typ Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A 12Auf Lager
600erwartet ab 26.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 2 311Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac 1 597Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package 410Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 218Auf Lager
600erwartet ab 25.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package 860Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package 1 714Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 596Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package 455Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 362Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 275Auf Lager
1 200erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 400Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 246Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 357Auf Lager
600erwartet ab 31.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 496Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 517Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 481Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 281Auf Lager
1 200erwartet ab 10.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package 33Auf Lager
1 000erwartet ab 17.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package 45Auf Lager
1 000erwartet ab 26.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A 54Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package 49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 843Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package 481Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an 378Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel