STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE Leistungs-MOSFETs
Die TH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™ Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics sind AEC-Q101-qualifizierte n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie, die erstklassigen Durchlasswiderstand mit niedrigen internen Kapazitäten und Gate-Ladung kombinieren und sowohl die Leitungs- als auch die Schalteffizienz verbessern. Diese Geräte sind in TO-220 oder 2-Pin oder 6-Pin H2PAK Industrie-Standard-Gehäusen erhältlich und helfen Entwicklern, die Platinengröße zu verringern und die Leistungsdichte zu maximieren. Die STH315N10F7 MOSFETs verfügen auch über eine extrem hohe Robustheit, um potenziell schädlichen Bedingungen standzuhalten. Die STripFET VII DeepGATE MOSFETs verfügen über eine Nennspannung von 100V und bieten einen angemessenen Sicherheitsspielraum, um typischen Überspannungen standzuhalten. Die STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFETs sind auch gut für hoch robuste Leistung in Automobil- und Schaltanwendungen geeignet.
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