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ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse

ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit mit reduziertem Gehäusewiderstand. Die Bauelemente im HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuse bieten einen gleichzeitig niedrigen Einschaltwiderstand und eine Gate-Ladungskapazität, wodurch der Energieverlust reduziert wird. Diese MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und eignen sich hervorragend für Antriebsapplikationen, die mit 24-V- / 36-V- / 48-V-Netzteilen betrieben werden.

Merkmale

  • Nutzt ein Cu-Clip-Gehäuse, das eine hohe Strombelastbarkeit mit reduziertem Gehäusewiderstand ermöglicht
  • Gleichzeitig niedriger ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungskapazität (Kompromissbeziehung), was den Energieverlust minimiert
  • Erhältlich in kompakten 3333- und 5060-Gehäusegrößen (HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuseausführungen)
  • 40 V/60 V/80 V/100 V/150 V Durchschlagspannungen (Eingang von 24 V/36 V/48 V unter Berücksichtigung von Spitzen- und Rauschmargen)
  • Ideal für Antriebsapplikationen, die mit Stromversorgungen von 24 V/36 V/48 V betrieben werden

Applikationen

  • Netzteile
    • Server
    • Basisstationen
  • Motorbetriebene Anlagen
    • Industrieapplikationen
    • Verbraucher

Technische Daten

  • Drain-Source-Durchschlagbereich: 40 V bis 150 V
  • Dauersenkenstrombereich: 25 A bis 210 A
  • Drain-Source-Widerstandsbereich: 1,34 mΩ bis 73 mΩ
  • Gate-Source-Bereich: ±20 V
  • Gate-Source-Schwellwertbereich: 2,5 V oder 4 V
  • Gate-Ladungsbereich: 16,7 nC bis 67 nC
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
  • Verlustleistungsbereich: 59 W bis 104 W

Videos

Strukturvergleich

Infografik - ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse
Leistungsdiagramm - ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse

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Veröffentlichungsdatum: 2023-05-19 | Aktualisiert: 2025-10-10