ROHM Semiconductor RS6N120BH n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der ROHM Semiconductor RS6N120BH n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein kompakter verlustarmer MOSFET, der über einen Cu-Clip-Aufbau verfügt und zu einem Betrieb mit hohem Wirkungsgrad beiträgt. Das System erhöht die Stromstärke, während gleichzeitig der Gehäusewiderstand reduziert wird. Durch diese Funktion eignet sich der RS6N120BH hervorragend für Antriebsapplikationen, die mit einer Stromversorgung von 24 V/36 V/48 V betrieben werden.
Merkmale
- Ideal für Schaltapplikationen
- HSOP8S-Cu-Clip-Gehäuse mit hoher Leistung von 5 mm x 6 mm x 1 mm
- Gleichzeitiger niedriger ON-Widerstand und Gateladungs-Kapazität (Kompromiss) reduzieren den Energieverlust
- Oberflächenmontage
- Anreicherungsmodus
- Bleifreie Beschichtung
- 100 % Rg- und UIS-getestet
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Schaltapplikationen
- Netzteile für Server und Basisstationen
- Verschiedene motorbetriebene Ausrüstungen (Industrie/Verbraucher)
Technische Daten
- 8 x Anschlüsse
- Drain-Source-Durchschlagspannung: 80 V
- Typischer Durchschlagspannungs-Temperaturkoeffizient: 58 mV/°C
- Dauersenkenstrom: ±135 A
- Gepulster Drainstrom: ±540 A
- Gate-Source-Spannung: ±20 V
- Typischer Gate-Ladungsbereich: 33 nC bis 53 nC
- Typischer Gate-Widerstand: 1,3 Ω
- Verlustleistung: 104 W
- Antriebsspannung: 6 V
- Maximale Durchlassspannung: 1,2 V
- Maximaler Null-Gate-Spannungs-Drainstrom: 5 µA
- Avalanche-Strom mit Einzelpuls: 30 A
- Avalanche-Energie mit Einzelpuls: 74 mJ
- Transadmittanz vorwärts: mindestens 425
- Typische Eingangskapazität: 3.420 pF
- Typische Ausgangskapazität: 1.020 pF
- Typische Transimpedanz rückwärts: 35 pF
- Typische Einschaltverzögerungszeit: 32 ns
- Typische Anstiegszeit: 47 ns
- Typische Abschaltverzögerungszeit: 73 ns
- Typische Abfallzeit: 35 ns
- Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
Innenschaltung
Vergleich des Aufbaus
Veröffentlichungsdatum: 2023-05-15
| Aktualisiert: 2023-05-19