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RS6N120BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6N120BHTB1
Price: 3.14 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RS6N120BHTB1

Herst.- Nr.:

RS6N120BHTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

Datenblatt:

RS6N120BHTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 2,05	€ 20,50
	€ 1,60	€ 160,00
	€ 1,34	€ 670,00
	€ 1,17	€ 1 170,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 1,17	€ 2 925,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	135 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	42 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	47 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	73 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32 ns

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Datenblatt

RS6N120BHTB1 Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RS6N120BH n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor RS6N120BH n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein kompakter verlustarmer MOSFET, der über einen Cu-Clip-Aufbau verfügt und zu einem Betrieb mit hohem Wirkungsgrad beiträgt. Das System erhöht die Stromstärke, während gleichzeitig der Gehäusewiderstand reduziert wird. Durch diese Funktion eignet sich der RS6N120BH hervorragend für Antriebsapplikationen, die mit einer Stromversorgung von 24 V/36 V/48 V betrieben werden.

RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse

ROHM Semiconductor RS6/RH6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Cu-Clip-Gehäuse ermöglichen eine hohe Strombelastbarkeit mit reduziertem Gehäusewiderstand. Die Bauelemente im HSOP-8- und HSMT-8-Gehäuse bieten einen gleichzeitig niedrigen Einschaltwiderstand und eine Gate-Ladungskapazität, wodurch der Energieverlust reduziert wird. Diese MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben und eignen sich hervorragend für Antriebsapplikationen, die mit 24-V- / 36-V- / 48-V-Netzteilen betrieben werden.