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Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650 V SuperGaN® FET ist ein 50 mΩ Galliumnitrid (GaN)  normalerweise ausgeschaltetes Bauelement, erhältlich in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse. Dieses SuperGaN FET der Generation IV verwendet eine Plattform der Generation IV, die fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien unterstützt, um die Fertigung zu vereinfachen. Der 650 V FET TP65H050G4YS kombiniert einen hochmodernen Hochspannungs-GaN-HEMT mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET für überragende Zuverlässigkeit und Leistung. Dieser SuperGaN-FET verbessert den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlusten, und Sperrverzögerungsladung. Zu den typischen Applikationen zählen Anwendungen in der Datenkommunikation, verschiedenste industrielle Anwendungen, PV-Wechselrichter und Servomotoren.

Merkmale

  • JEDEC-qualifizierte GaN-Technologie
  • Dynamischer RDS (on) eff produktionsseitig getestet
  • Robustes Design, definiert durch:
    • Große Gate-Sicherheitsmarge
    • Transiente Überspannungsfestigkeit
  • Verbesserte Einschaltstrom-Fähigkeit
  • Sehr niedriger QRR
  • Reduzierter Crossover-Verlust
  • Ermöglicht brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs:
    • Größere Leistungsdichte
    • Reduzierte Systemgröße und geringeres Gewicht
    • Niedrigere Gesamtsystemkosten
  • Erzielt einen höheren Wirkungsgrad sowohl bei harten als auch bei weichen Schaltungen
  • Einfach anzusteuern mit gängigen Gate-Treibern
  • GSD-Pinbelegung optimiert das Hochgeschwindigkeitsdesign

Technische Daten

  • 650 V Drain-Source-Spannung VDSS
  • 800 V transiente Drain-Source-Spannung VDSS(TR)
  • ±20 Gate-Source-Spannung VGSS
  • 132 W Maximaler Leistungsverlust (PD) bei TC = 25 °C
  • Dauersenkenstrom (ID)
    • 35 A bei TC = 25 °C
    • 22 A bei TC = 100 °C
  • 150 A gepulster Drainstrom I DM(Pulsbreite: 10 µs)
  • 3,3 V bis 4,8 V GATE Schwellenspannung V GSBereich (VDS=VGS, ID=0,7 mA)
  • Drain-Source-On-Widerstand:
    • 50 mΩ bis 60 mΩ (VGS=10 V, ID=22 A)
    • 105 mΩ (VGS=10V, ID=22A, TJ=150°C)
  • Typische Kapazität (VGS=0 V, VDS=400 V, f=1 MHz):
    • 1.000 pF Eingang
    • Ausgangskapazität: 110 pF 
    • 2,7 pF Rücktransfer 
  • Elektrische Ladung (VDS=400 V, VGS=0 V bis 10 V, ID=6,5 A):
    • 16 bis 24 nC gesamte Gate-elektrische Ladung 24
    • Gate-Source-Ladung: 6 nC
    • 5nC Gate-Drain elektrische Ladung
  • 112nC Ausgangsladung (VGS=0V, VDS=0V bis 400V)
  • Betriebsfrequenzbereich 50 kHz bis 100 kHz

Applikationen

  • Datenkommunikation
  • Umfangreicher industrieller
  • PV-Umrichter
  • Servomotor

Schaltungsimplementierung

Schaltplan - Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

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Veröffentlichungsdatum: 2024-02-28 | Aktualisiert: 2025-06-05