Renesas Electronics TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET in TOLT

Der TP65H070G4RS 650 V SuperGaN^® FET im TOLT-Gehäuse von Renesas Electronics zeichnet sich durch einen Einschaltwiderstand RDS_(on) von 72 mΩ aus, der typisch für ein von oben gekühltes TOLT-Gehäuse 650 V Oberflächenmontage ist, das dem JEDEC-Standard MO-332 entspricht. Das TOLT-Gehäuse bietet Flexibilität beim Wärmemanagement, insbesondere in Systemen, die keine herkömmlichen Bauteile zur Oberflächenmontage mit Kühlung von unten zulassen. Der TP65H070G4RS ist ein normalerweise ausgeschaltetes Bauelement, das Niederspannungs-Silizium-MOSFET- und Hochspannungs-GaN-HEMT-Technologien kombiniert und so eine überlegene Zuverlässigkeit und Leistung liefert. Die Gen IV SuperGaN-Plattform nutzt fortschrittliche epitaktische (Epi) und patentierte Designtechnologien, um die Fertigung zu vereinfachen und den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen zu verbessern. Dies wird durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Crossover-Verlusten, Ausgangskapazität und Sperrverzögerungsladung erreicht. Der 650 V SuperGaN-TOLT-FET TP65H070G4RS von Renesas Electronics eignet sich besonders für Applikationen in den Bereichen Datenkommunikation, Industrie, Computerbranche und mehr.