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TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H070G4PS

Herst.- Nr.:

TP65H070G4PS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Datenblatt:

TP65H070G4PS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 3,20	€ 320,00
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	€ 2,82	€ 2 820,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.7 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Abfallzeit:	7.2 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	56 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	43.4 ns

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Datenblatt

TP65H070G4PS Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H070G4PS 650 V SuperGaN® GaN-FET

Der TP65H070G4PS 650 V SuperGaN^®Gallium-Nitrid (GaN) FET von Renesas Electronics ist ein 650 V, 70 mΩ normalerweise ausgeschaltetes Gerät, das eine überlegene Qualität und ein hervorragendes Betriebsverhalten bietet. Der TP65H070G4PS kombiniert Hochvolt-GaN-HEMT- und Niedervolt-Silizium-MOSFET-Technologien in einem dreipoligen TO-220 Gehäuse. Dieses Bauteil arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und zeichnet sich durch einen maximalen Leistungsverlust von 26 W, einen maximalen Dauersenkenstrombereich von 18,4 A bis 29 A und einen gepulsten Drainstrom von 120 A (max.) aus. Die Gen IV SuperGaN-Plattform von Renesas Electronics nutzt fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien, um die Fertigung zu vereinfachen und gleichzeitig den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlusten und Sperrverzögerungsladung zu verbessern.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.