Infineon Technologies FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies  FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Module  sind isolierte bipolare 1.200 V-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter-Gate-Transistormodule. Basierend auf der TRENCHSTOP™ IGBT7- und Emitter-gesteuerten 7-Dioden-Technologie bieten diese Bauteile stark reduzierte Verluste und sind hochsteuerbar. Diese  Module sind speziell für industrielle Antriebsapplikationen optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann mit einer Betriebsüberlasttemperatur von bis zu +175°C im Leistungsmodul erzielt werden. 

Die FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK-Module verfügen über keine Grundplatte, sind jedoch für eine schnelle, zuverlässige und kostengünstige Montage mit Schraubzwingen ausgestattet.

Merkmale

  • Hohe Leistungsdichte
  • Kompaktes Design
  • PressFIT-Kontakttechnologie
  • Niedrige VCEsat
  • Trenchstop IGBT7
  • Überlastbetrieb bis +175 °CC
  • 5 kVAC 1 min. Isolierung
  • Al2O3 Substrat mit niedrigem thermischem Widerstand

Applikationen

  • Hilfswechselrichter
  • Klimaanlagen
  • Motorantriebe
  • Servoantriebe
  • USV-Systeme

Schaltplan

Infineon Technologies FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT-Module

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - Infineon Technologies FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT-Module
Veröffentlichungsdatum: 2020-02-21 | Aktualisiert: 2024-10-03