FS100R12W2T7_B11 EasyPIM™ 2B IGBT-Modul

Das FS100R12W2T7_B11 EasyPIM™ 1B IGBT-Modul ist ein 1.200 V, 100 A Dreiphasen-Gleichrichter-PIM (Power Integrated Modul, PIM) mit isoliertem Gate-Bipolartransistormodul und TRENCHSTOP™ IGBT7 sowie einer Emitter-gesteuerten Diode und einer PressFIT-Verbindungstechnik. Die kompakten EasyPIM IGBT-Module verfügen über keine Grundplatte, sind jedoch für eine schnelle, zuverlässige und kostengünstige Montage mit Schraubzwingen ausgestattet. 

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
Datenblatt
156Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 70 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 70 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray