FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies  FS50R12W2T7 und FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Module  sind isolierte bipolare 1.200 V-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter-Gate-Transistormodule. Basierend auf der TRENCHSTOP™ IGBT7- und Emitter-gesteuerten 7-Dioden-Technologie bieten diese Bauteile stark reduzierte Verluste und sind hochsteuerbar. Diese  Module sind speziell für industrielle Antriebsapplikationen optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann mit einer Betriebsüberlasttemperatur von bis zu +175°C im Leistungsmodul erzielt werden. 

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray