IXYS SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
100Auf Lager
450erwartet ab 02.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Datenblatt
78Auf Lager
800erwartet ab 02.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement

IXYS SiC-MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Datenblatt
4 196Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS SiC-MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Datenblatt
548Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Datenblatt
1 927Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
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2 090Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 50A N-CH SIC
Datenblatt
431Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Datenblatt
900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
Datenblatt
900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L
Datenblatt
900Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
550Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
550Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
Datenblatt
550Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Datenblatt
402Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Datenblatt
478Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Datenblatt
483Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement
IXYS IXFN27N120SK
IXYS SiC-MOSFETs SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT HiPerFET
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263
Datenblatt
76Auf Lager
800erwartet ab 16.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
Datenblatt
76Auf Lager
2 000erwartet ab 16.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TOLL
Datenblatt
80Auf Lager
2 000erwartet ab 16.02.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV
Datenblatt
100Auf Lager
450erwartet ab 23.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Datenblatt
795Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Datenblatt
760Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
408Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Datenblatt
392Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement