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IXSH60N65L2KHV

Name: IXYS IXSH60N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH60N65L2KHV
Price: 7.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXSH60N65L2KHV

Herst.- Nr.:

IXSH60N65L2KHV

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IXSH60N65L2KHV Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	94.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	249 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8.4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	15.8 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.9 ns

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IXSH60N65L2KHV Datenblatt (PDF)

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IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [R_DS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (I_D) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).