SiC-MOSFETs

Littelfuse SiC-MOSFETs sind für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen optimiert. Diese robusten SiC-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und bieten einen extrem niedrigen On-Widerstand. Littelfuse bietet intern entwickelte und hergestellte SiC-MOSFETs mit extrem niedriger Gate-Ladung und Ausgangskapazität, branchenführender Leistungsfähigkeit und Robustheit bei allen Temperaturen und mit extrem niedrigem On-Widerstand. Jetzt als 80mOhm-, 120mOhm- und 160mOhm-Versionen mit 1.200 V verfügbar.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
Littelfuse SiC Schottky Dioden RECT 650V 20A SM SCHOTTKY
Datenblatt
713Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 20 A 650 V 1.8 V 95 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Littelfuse SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 40A SM SCHOTTKY
Datenblatt
74Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount SOT-227B Dual Series 40 A 1.2 kV 1.8 V 145 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD Tube

Littelfuse SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 120A SM SCHOTTKY
Datenblatt
99erwartet ab 25.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount SOT-227B Dual Series 120 A 1.2 kV 1.8 V 440 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD Tube
Littelfuse SiC Schottky Dioden 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 8 A 650 V 1.8 V 40 A 100 uA - 55 C + 175 C LSIC2SD AEC-Q101