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LSIC2SD065D20A

Name: Littelfuse LSIC2SD065D20A
Brand: Littelfuse
SKU: 576-LSIC2SD065D20A
Price: 7.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

576-LSIC2SD065D20A

Herst.- Nr.:

LSIC2SD065D20A

Herst.:

Littelfuse

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden RECT 650V 20A SM SCHOTTKY

Datenblatt:

LSIC2SD065D20A Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 7,34	€ 7,34
	€ 5,05	€ 50,50
	€ 3,97	€ 397,00
	€ 3,37	€ 1 685,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	€ 3,37	€ 2 696,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Littelfuse
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-2 (TO-263-2)
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	20 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.8 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	95 A
Ir - Sperrstrom:	100 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	LSIC2SD
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Littelfuse
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC-MOSFETs

Littelfuse SiC-MOSFETs sind für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen optimiert. Diese robusten SiC-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und bieten einen extrem niedrigen On-Widerstand. Littelfuse bietet intern entwickelte und hergestellte SiC-MOSFETs mit extrem niedriger Gate-Ladung und Ausgangskapazität, branchenführender Leistungsfähigkeit und Robustheit bei allen Temperaturen und mit extrem niedrigem On-Widerstand. Jetzt als 80mOhm-, 120mOhm- und 160mOhm-Versionen mit 1.200 V verfügbar.

GEN2 SiC-Schottky-Dioden

Littelfuse GEN2 Siliziumkarbid(SiC)-Schottky-Dioden bieten einen verbesserten Wirkungsgrad, eine höhere Zuverlässigkeit und ein besseres Wärmemanagement in verschiedenen Applikationen. Die Dioden haben eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von max. 175 °C. Der positive Temperaturkoeffizient der Dioden sorgt für einen sicheren Betrieb und eine einfache Parallelschaltung. Zu den weiteren Merkmalen der GEN2 SiC-Schottky-Dioden gehören ein hohes Ableitvermögen und ein geringfügiger Sperrverzögerungsstrom. Das Schaltverhalten der Dioden ist extrem schnell und temperaturunabhängig. Im Vergleich zu Si-Bipolardioden bieten diese Dioden drastisch reduzierte Schaltverluste. Die GEN2 SiC-Schottky-Dioden eignen sich ideal für EV-Ladestationen, Solar-Wechselrichter, Schaltnetzteile und vieles mehr. Diese Dioden sind in einem TO-220-2L-, TO-252-2L(DPAK)- oder TO-263-2L(D2PAK)-Gehäuse verfügbar.