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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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831Auf Lager
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Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1 354Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
3 364Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2 555Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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3 402Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2 000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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828Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 917Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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272Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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2 433Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 468Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 35 nC - 40 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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778Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 199Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 983Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
3 816Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
465Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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191Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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840Auf Lager
2 000erwartet ab 02.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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4 315Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 029Auf Lager
3 000erwartet ab 11.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 784Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1 087Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
740Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 79 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
450Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube