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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04.14.2026
04.14.2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
04.06.2026
Dual N-channel MOSFET designed with low Rg for fast switching applications.
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
03.17.2026
03.17.2026
Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs
03.05.2026
03.05.2026
Normalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02.19.2026
02.19.2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET
12.26.2025
12.26.2025
Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs
12.23.2025
12.23.2025
Setzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8
11.25.2025
11.25.2025
Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET
11.25.2025
11.25.2025
Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
11.24.2025
11.24.2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.20.2025
11.20.2025
Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.
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