Vishay / Siliconix Vishay Siliconix 500-650V E-Serie Hochleistungs-MOSFETs

Die Vishay Siliconix Hochleistungs-MOSFETs der E-Serie sind 500V- und 650V-Super-Junction n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit einer On-Widerstand-Reduzierung von 30% (im Vergleich mit dem MOSFETs der S-Serie). Diese Hochleistungs-MOSFETs der E-Serie verfügen über niedrigen On-Widerstand (RDS(on)), niedrige Eingangskapazität (Ciss), reduzierte kapazitive Schaltverluste, Ultra-Low-Gate-Ladung (Qg), einfache Gate-Treiberschaltung, niedrigen Gütefaktor (Figure of Merit (FOM: RDS(on) x Qg) schnelle Schaltung und sind kostengünstig. Typische Anwendungen der Vishay Siliconix Hochleistungs-MOSFETs der E-Serie umfassen Server- und Telekommunikations-Netzteile, Beleuchtung, Industrie, Batterieladegeräte, erneuerbare Energie und SMPS.

These high-performance MOSFETs come in various packages, including TO-247AC, TO-220AB, TO-220 FULLPAK, TO-247AC, D2PAK (TO-263), IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), and IPAK (TO-251).

Merkmale

  • Optimal Design:
    • Low on-resistance (RDS(on))
    • Low input capacitance (Ciss)
    • Reduced capacitive switching losses
    • Ultra-low gate charge (Qg)
  • Optimal efficiency and operation:
    • Low cost
    • Simple gate drive circuitry
    • Low figure of merit (FOM): RDS(on) x Qg
    • Fast switching  

Applikationen

  • Server and telecom power supplies - SMPS lighting:
    • High-Intensity Discharge (HID)
    • LED lighting
    • Fluorescent ballast lighting
  • Industrial - Welding, induction heating, and motor drives
  • Battery chargers
  • Renewable energy - Solar (PV inverters)
  • SMPS - Power factor correction (PFC)

Infograph

Tabelle - Vishay / Siliconix Vishay Siliconix 500-650V E-Serie Hochleistungs-MOSFETs

Breakdown Voltage

Leistungsdiagramm - Vishay / Siliconix Vishay Siliconix 500-650V E-Serie Hochleistungs-MOSFETs
Veröffentlichungsdatum: 2012-11-08 | Aktualisiert: 2024-08-28