600V/650V E-Serie PowerPAK® SO-8L-MOSFETs

Die Vishay 600V/650V E-Serie PowerPAK® SO-8L-MOSFETs bieten eine erhöhte Zuverlässigkeit und reduzierte Gehäuse-Induktivität für Industrie- und Verbraucher-Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs basieren auf der Superjunction-Technologie von Vishay und verfügen über einen niedrigen maximalen On-Widerstand bis 0,52 Ω bei 10 V, eine extrem niedrige Gatter-Ladung bis hinunter auf 17 nC und niedrige Gatter-Ladezeiten für den ON-Widerstand, ein Schlüsselgütefaktor (Figure of Merit (FOM) für MOSFETs in Leistungsumwandlungs-Applikationen.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Datenblatt
5 717Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 5.6 A 755 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Datenblatt
2 502Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 650 V 7.9 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
Datenblatt
3 000Auf Lager verfügbar
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel