Vishay / Siliconix SiC7xx Integrierte DrMOS-Leistungsstufen

Vishay Siliconix SiC7xx Integrierte DrMOS-Leistungsstufen sind integrierte Leistungsstufenlösungen, optimiert für synchrone Abwärtswandleranwendungen, und bieten eine hohe Strom-, Effizienz- und Leistungsdichte. Dieses Gerät entspricht dem Intel-DrMOS-Standard für Desktop- und Server-Vcore-Leistungsstufen. Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen Vishays hochmoderne TrenchFET Gen III-Technologie für branchenführende Leistung sowie umfassend reduzierte Schalt- und Leitungsverluste. Sie enthalten ein erweitertes MOSFET-Gate-Treiber-IC, das hohe Ansteuerungsströme, adaptive Laufzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode und ein thermisches Alarmsignal (THDN) für Warnmeldungen bei überhöhter Sperrschittemperatur bietet.

Merkmale

  • Industry benchmark MOSFET with integrated Schottky diode
  • Delivers up to 50A continuous current
  • DrMOS compliant gate driver IC
  • Up to >93% peak efficiency
  • Power MOSFETs optimized for 5V or 12V input state
  • 3.3V or 5V PWM logic with tri-state and hold-off
  • Thermal monitor flag
  • Enable feature
  • 6.0mm x 6.0mm x 0.75mm package 

Applikationen

  • CPU and GPU core voltage regulation
  • Server, computer, workstation, game console, graphics boards, PC
  • Synchronous buck converters
  • Multi-phase VRDs for CPU, GPU, and memory
  • DC/DC POL modules
Veröffentlichungsdatum: 2012-08-22 | Aktualisiert: 2022-03-11