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Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation von Toshiba sind für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC- Eingang und AC-DC-Netzteile, Photovoltaik-Umrichter (PV) und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) ausgelegt.  Diese MOSFETs von Toshiba tragen aufgrund der SiC-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei. Diese Technologie ermöglicht höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge und einen geringeren On-Widerstand. Das Design bietet eine bessere Zuverlässigkeit zusätzlich zu einer niedrigen Eingangskapazität, einem gemeinsamen Gate-Eingangsladung und einem Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 15 mΩ.

Merkmale

  • Niedrige VF
    • Eingebaute Schottky-Barrieren-Dioden-Technologie für extrem niedrige VF
    • Hochzuverlässig mit Zelldesign
  • Niedriger RON, RON QGD
    • RON QGD wird von der 2. auf die 3. Generation um 80 % reduziert
    • Wettbewerbsfähiger RON QGD und Schaltleistung
  • Größere VGSS-Einstufung
    • Erweiterte VGSS-Einstufungen verbessern die Zuverlässigkeit des Designs und vereinfachen das Design
    • VGSS -10 V bis 25 V (empfohlen 18 V)
    • Ein niedriger On-Widerstand und eine höhere Gate-Schwellenspannung (Vth) helfen, Fehlfunktionen wie ein versehentliches Einschalten zu verhindern

Applikationen

  • Industriemotorantriebe
  • Ladegerät
  • AC/DC- und DC/DC-Wandler
  • Blindleistungskompensationsschaltung
  • Energiespeichersysteme
  • Solarenergie
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

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Leistungsdiagramme

Leistungsdiagramm - Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation
Leistungsdiagramm - Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation
Leistungsdiagramm - Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Gehäuse und interne Schaltung

Technische Zeichnung - Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - Toshiba 650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

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Ausgelegt für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC-Eingang und AC-DC-Netzteile.

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Veröffentlichungsdatum: 2022-07-05 | Aktualisiert: 2024-05-01