650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation von Toshiba sind für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC- Eingang und AC-DC-Netzteile, Photovoltaik-Umrichter (PV) und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) ausgelegt.  Diese MOSFETs von Toshiba tragen aufgrund der SiC-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei. Diese Technologie ermöglicht höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge und einen geringeren On-Widerstand. Das Design bietet eine bessere Zuverlässigkeit zusätzlich zu einer niedrigen Eingangskapazität, einem gemeinsamen Gate-Eingangsladung und einem Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 15 mΩ.