STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET
Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET verwendet MDmesh™ V, eine revolutionäre Leistungs-MOSFET-Technologie, die auf einem innovativen proprietären vertikalen Prozess basiert, der mit STMicroelectronics branchenbekannter horizontaler PowerMESH™-Layoutstruktur kombiniert wurde. Das STMicroelectronics N-channel MDmesh™ V Leistungs-MOSFET bietet einen extrem niedrigen On-Widerstand, der in silikonbasierten Leistungs-MOSFETs einmalig ist, wodurch sich das Gerät hervorragend für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Leistungsdichte und hohe Wirkungsgrade eignet.
STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.
Merkmale
- Outstanding RDS(on) area values
- Fast switching
- High VDSS rating
- High dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
Applikationen
- SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
- Lighting (electronic ballast, HID)
- Displays (TVs, monitors)
- Solar converters
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Veröffentlichungsdatum: 2011-09-15
| Aktualisiert: 2025-10-24