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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
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2 798Auf Lager
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Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 138 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 414 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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4 094Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
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5 856Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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515Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
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529Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
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2 190Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 550 V 13 A 240 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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504Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
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1 225Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
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969Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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702Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
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1 683Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.5 A 430 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V MDMesh
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708Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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493Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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431Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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739Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 65V 12A MDMESH
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8 345Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 279 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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1 996Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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338Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 33 Amp
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786Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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1 959Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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1 353Auf Lager
600erwartet ab 10.02.2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 71 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
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136Auf Lager
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Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 363 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
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441Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
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229Auf Lager
1 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
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376Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube