STMicroelectronics STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET

Der STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-N-Kanal Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100% Avalanche. Dieser MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine extrem niedrige Gate-Ladung, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V, eine Gesamtverlustleistung von 83 W, eine weltweit beste RDS(ON) x Fläche und eine weltweit beste FOM (Gütezahl) aus. Der MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis 150°C und ist im DPAK (TO-252)-Gehäuse vom Typ A2 erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Sperrwandler, LED-Beleuchtung und Adapter für Tablets und Notebooks.

Merkmale

  • Extrem niedrige Gate-Ladung
  • Weltweit beste RDS(ON) x Fläche
  • Weltweit beste FOM (Gütezahl)
  • Gate-Source-Spannung: ±30 V
  • Gesamtverlustleistung: 83 W

Applikationen

  • Sperrwandler
  • LED-Beleuchtung
  • Adapter für Tablets und Notebooks
Veröffentlichungsdatum: 2023-01-20 | Aktualisiert: 2024-06-25