STD80N450K6

STMicroelectronics
511-STD80N450K6
STD80N450K6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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Datenblatt:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17.3 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 12.7 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 28.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10.6 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh-K6-Leistungs-MOSFET

Der STD80N450K6 800 V 10 A MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungs-N-Kanal Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100% Avalanche. Dieser MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine extrem niedrige Gate-Ladung, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V, eine Gesamtverlustleistung von 83 W, eine weltweit beste RDS(ON) x Fläche und eine weltweit beste FOM (Gütezahl) aus. Der MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis 150°C und ist im DPAK (TO-252)-Gehäuse vom Typ A2 erhältlich. Zu den typischen Applikationen gehören Sperrwandler, LED-Beleuchtung und Adapter für Tablets und Notebooks.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

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Gehäuse:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 3,80 € 3,80
€ 2,50 € 25,00
€ 1,76 € 176,00
€ 1,50 € 750,00
€ 1,49 € 1.490,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
€ 1,26 € 3.150,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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