onsemi NVMFS5C604N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5C604N von onsemi verfügt über einen Dauersenkenstrom von 288 A, einen RDS(ON) von 1,2 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 60 V. Das Bauteil NVMFS5C604N ist in einem 5 mm x 6 mm großen Flachgehäuse mit Anschlussleitungen erhältlich, das speziell für kompakte und effiziente Designs entwickelt wurde. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.
Merkmale
- Kleiner Footprint (5 mmm x 6 mmm) für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
- NVMFS5C604NWF – Benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Batterie-Verpolungsschutz
- Schaltnetzteile
- Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücken usw.)
Technische Daten
- Maximaler Dauersenkenstrom: 288 A
- Maximale RDS(ON): 1,2 mΩ bei 10 V
- Drain-Source-Spannung: 60 V
- Gate-Source-Spannung: ±20 V
- 900 A gepulster Drainstrom
- Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C
Typische Applikation
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Veröffentlichungsdatum: 2024-01-03
| Aktualisiert: 2025-11-11